资料之间的不兼容性使得在单单一个商用芯片上部件中集成晶体管和存储器的作业停滞不前，这种景象或许行将有所改动。
美国普渡大学的研讨人员已在完成很难完成的方针方面取得了发展：制作既能处理信息又能存储信息的晶体管。将来，单单一个芯片上部件就能够将晶体管的处理功用与铁电RAM的存储功用集成起来，有望做出集处理和存储功用于一体的混合部件，只要几个原子那么薄，因此进步核算速度。
将更多功用填充到芯片上是电子设界计的一个中心方针，以便在不添加占用空间的情况下进步速度、下降功耗。为了取得今日的效果，普渡大学的工程师们不得不战胜晶体管（用于简直一切电子设备中的开关和扩大机制）与铁电RAM之间的不兼容性。铁电RAM是一种功用更高的存储技能，这种资料带来了非易失性，这在某种程度上预示着断电后它能够保存信息，这与传统的介电层构成的DRAM不相同。
研讨人员已规划出了一种更灵敏的办法，将晶体管和存储器集成在一块芯片上，有望进步核算速度。
曩昔，资料之间的不兼容阻止了规划集成晶体管和存储器的商用电子科技类产品这项作业。普渡大学在一份声明中解说：“数十年来，研讨人员一直在尽力将两者集成起来，可是铁电资料和硅（构成晶体管的半导体资料）之间的接口处呈现了问题。铁电RAM而是作为芯片上的一个独立单元来运转，这约束了它使核算功率更高的潜力。”
普渡大学由Peide Ye领导的工程师团队提出了一个解决方案：“咱们使用了一种具有铁电特性的半导体。这样一来，两种资料就成了一种资料，因此不用忧虑接口问题，”普渡大学电气和核算机工程系教授Ye说。
普渡大学工程师选用的办法其中心是一种名为α-硒化铟晶体（alpha indium selenide）的资料。这种资料具有铁电特性，但战胜了惯例铁电资料的局限性，惯例铁电资料一般用作绝缘体，不允许电流经过。α-硒化铟晶体资料能成为晶体管元件必需的半导体，又能成为铁电RAM所需的室温下安稳、只需低电压的铁电部件。
普渡大学解说，α-硒化铟晶体的带隙（band gap）比其他资料窄。带隙是没有电子能够存在的当地。这种资料中固有的更窄带隙意味着这种资料不是真实的绝缘体，又不太厚而使电流无法经过，可是仍有铁电层。较窄的带隙“使这种资料能成为半导体，又不损失铁电特性，”普渡大学如此以为。
“成果便是取得一种所谓的铁电半导体场效应晶体管，而其制作方法与现在用在核算机芯片上的晶体管相同。”
普渡大学电气和核算机工程博士后研讨员Mengwei Si规划并测试了该晶体管，发现其功用可与现有的铁电场效应晶体管相媲美，进一步优化后会更胜一筹。普渡大学电气和核算机工程系助理教授Sumeet Gupt和攻读博士的Atanu Saha供给了建模支撑。
Si和Ye的团队还与佐治亚理工学院的研讨人员协作，将α-硒化铟晶体做入到芯片上名为铁电地道结的当地，工程师可经过铁电地道结增强芯片的功用。研讨团队已在2019年的IEEE世界电子器件大会上介绍了这项研讨效果。
