2019年DRAM原厂技能已进入1Znm，且各家又扩展了三代DRAM，被称为1anm、1bnm和1cnm，其间1anm DRAM或将于2021年推出。
那么，1Znm之后的DRAM技能是否导入EUV工艺成为企业的要点考虑问题，也将是摆开技能距离的重要节点。
在EUV技能中，选用的光波长仅为13.5nm，比ArF（193 nm）短14倍，因而可以将图画分辨率降低到10nm以下，所以DRAM三大原厂三星、美光和SK海力士正在评论EUV导入制程中的时刻点。
其间三星在2019年3月开宣告第三代10nm级（1Znm）工艺DRAM，传已在制作中整合了EUV极紫外光刻技能。SK海力士正在新工厂内建置EUV设备，下半年可竣工，并评价导入EUV量产1anm级DRAM的时刻。
美光科技在2019年不只已开端大规模出产1Znm 16Gb DDR4产品，1Znm DDR5产品也现已送样。依据美光DRAM技能规划，下一代微细化工艺技能被命名为1α,1β和1γnm。据韩国媒体称，美光推延了EUV的导入，或许推延至1γnm技能之后，时刻表暂不确认。
美光DRAM产品工程高档总监Debra Bell曾表明，未来几年来咱们的开展很明晰，也还有其他主意，正在评论并对此进行评价。
在NAND Flash范畴，10nm是2D技能量产的极限，没有打破10nm各家原厂就纷繁转向了3D架构，现在三星、SK海力士已揭露宣告量产128层3D NAND；在逻辑芯片制作范畴，以台积电和三星为代表，现已引进EUV技能，其间台积电5nm将在2020上半年量产，且正在研制3nm技能及更先进的技能。
在DRAM范畴，全球三大DRAM原厂要打破10nm物理极限，有必要导入EUV工艺，全球最大芯片光刻设备厂商ASML表明，逻辑芯片已导入EUV设备，下一波将是DRAM客户活跃预备EUV导入量产阶段，推进EUV需求继续不断的添加。
现在DRAM现状是，跟着5G网络加快速度进行开展，从2019下半年开端，数据中心、企业级范畴装备的存储需求逐步转强，再加上部分原厂在2019上半年减产的原因，导致DRAM价格在年末提价，且涨势延续到2020年头。
就现在DRAM原厂的规划，因为手机内嵌LPDDR容量晋级较NAND Flash没那么快，所以原厂均将新工厂扩产的主力会集在NAND Flash上，DRAM扩产动作并不显着，所以DRAM主要是依靠技能晋级来进步产值。现在DRAM商场排名依次是三星、SK海力士、美光，若三星和SK海力士充沛的使用EUV工艺量产，对美光而言将晦气，距离恐进一步扩展。
